Даже лучшие нынешние трёхслойные фотоэлементы имеют КПД, не превышающий 44%, да и этот показатель обычно достижим лишь при концентрированном солнечном свете.

В разрабатываемой батарее каждый из слоёв настроен на чуть разную длину волны, что позволяет полнее использовать энергию излучения Солнца. Соотношения запрещённой зоны для разных материалов в фотоэлементе подобрано так, чтобы фотоны, которые «не воспринимаются» самым верхним слоем, могли попасть в нижележащие слои. Максимальный теоретический КПД такой схемы составляет, согласно расчётам, 87%.
Главной сложностью в реализации разработки будет именно сочетание запрещённых зон различных слоёв и высококачественное исполнение последних. Ключевым исследователи полагают четырёхкомпонентный сплав InAlAsSb с запрещённой зоной с прямыми переходами вплоть до энергий в 1,8 эВ.
Проверка ожидаемой высокой эффективности предлагаемого фотоэлемента ещё не произведена; по оценкам разработчиков, она займет до двух-трёх лет. И даже если испытания будут сверхуспешными, изделие, в силу высокой стоимости индия, сможет найти применение, вероятно, только в солнечных батареях для космических аппаратов и гелиоконцентраторов. 

Источник: Компьюлента